主讲人：纪幸辰 副教授（上海交通大学）

题目：超低损耗氮化硅集成光子芯片：制备、表征与应用

时间：2024年7月10日（周三）上午9：00

地点：格致楼3016会议室

邀请人：田永辉

报告摘要：

集成光子学，特别是硅光子学，由于其与CMOS制造工艺兼容的特性，实现了高密度、高产量、低成本地大规模光学器件制造，因此，在过去的二十年中得到了迅猛发展。氮化硅作为硅材料家族中新兴集成光子平台结合了超宽透明波长窗口、较高折射率以及半导体大规模制造兼容性等优点，在非线性光学、窄线宽激光器、大容量光通信、量子计算、传感和激光雷达等基础科学研究和实际应用方面都取得了重要进展。然而，如何制备超低损耗氮化硅集成光子芯片和揭示器件的光学损耗极限仍是本阶段面临的挑战。本报告将从集成光子芯片制备工艺出发，讨论氮化硅器件的微纳加工关键步骤和表征手段，分析推导现阶段器件的损耗极限。此外，本报告还将进一步讨论超低损耗氮化硅集成光子芯片的应用案例，如窄线宽激光器等，并简单介绍课题组现阶段工作。

个人简介：

纪幸辰，上海交通大学电子信息与电气工程学院长聘副教授、博士生导师。2021年国家“海外优青”、上海市领军青年人才（海外）、美国光学协会基金会挑战奖获得者（全球仅10人）、2023年上海科技青年35人引领计划获奖者，入选2023年全球前2%顶尖科学家年度科学影响力榜单。2018年获美国Cornell University博士学位，2018-2021年在美国Columbia University 从事博士后研究工作，2021年12月入职上海交通大学，长期从事集成光子和先进微纳制造方面的研究，目前在光学领域高影响力期刊和会议上发表论文100余篇，包括Nature、Science Advances、Laser & Photonics Reviews、Optica等，Google学术引用超过5400余次，单篇被引用近800次，5篇论文入选ESI高被引论文且h-index为34。在CLEO、OFC、POEM等国内外光学领域顶级会议多次做邀请报告。受邀担任IEEE Photonics Conference（IPC）、OECC等会议委员会委员和Nature Photonics, Nature Communications、Laser & Photonics Reviews、Photonics Research等数十个国际知名期刊的特约审稿人。